イオンガンを使用したミリング装置は真空中でイオンビームを試料に衝突させて表面を少しずつエッチング。1分間に約3ナノメータから300ナノメータまで可能です。微細加工装置として各分野で広く利用されています。

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株式会社エヌエスはイオンミリング装置のイオンソース・電源及び周辺機器まで自社で設計・製作・製品化しています。お客様のご要望に応じてカスタマイズも承っておりますのでお気軽にお問い合せください。

エヌエス製イオンミリング装置について

ドライプロセスでの微細加工装置として、薄膜磁気ヘッド、半導体素子、MRセンサー等の研究、開発及び量産の分野で幅広く使われています。
材質を問わずどのような材料でも加工が出来ますので、幅広く種々の分野でも注目されております。
イオン源としてはカウフマン型イオンガンを使用しています。
イオンビームの入射角度を変えることによりミリングの断面形状も垂直、テーパー等任意に変えられます。
基板は直接冷却式ステージに装着されておりますので低い温度でミリングが行えます。
ステージは同一円周上で自公転運動を行っているので、ミリングの均一性に優れ平滑なエッチング面が得られます。
ミリングプロセスの自動制御機能が組み込まれておりますので生産装置としての操作性に優れています。

■20-M/NS-12型(大規模量産用)
バッチ量が大きく量産向け装置です。
バッチサイズ Φ4"×12枚、Φ18"×3枚
ステージ ダイレクトクール
イオンガン 20cmカウフマン型
電源 WELL-5100


■20-M/NS-8型(中規模量産用)
中型の量産用装置です。
バッチサイズ Φ3"×8枚、Φ4"×6枚
ステージ ダイレクトクール
イオンガン 20cmカウフマン型
電源 WELL-5000


■10-M/NS-5型(小規模量産用)
小型の量産用装置です。
バッチサイズ Φ6"×1枚
ステージ ダイレクトクール、シングル
イオンガン 10cmカウフマン型
電源 WELL-2000







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